Samsung baru saja mengumumkan terobosan teknologi chip memori non-volatile baru yang disebut Ferroelectric Field-Effect Transistor atau FeFET. Teknologi ini memiliki potensi untuk menggantikan NAND di masa depan karena mampu meningkatkan kapasitas penyimpanan tanpa menambah konsumsi daya yang tinggi. Salah satu masalah utama pada chip NAND adalah konsumsi daya yang tinggi karena strukturnya yang membuat beberapa sel memori saling terhubung. Namun, FeFET menggunakan material ferolektrik berbasis hafnia dan zirkonium yang dapat mempertahankan muatan listrik tanpa perlu aliran daya, menjadikannya lebih efisien dan stabil. Chip FeFET ini bahkan mampu menyimpan hingga lima bit data per sel dengan konsumsi daya yang rendah, mengurangi penggunaan daya hingga 96% dibandingkan chip NAND biasa. Samsung percaya bahwa FeFET adalah teknologi memori masa depan yang dapat menciptakan chip yang lebih padat, cepat, dan hemat energi. Meskipun masih dalam tahap riset, FeFET memiliki potensi besar untuk menjadi solusi ideal bagi industri AI yang membutuhkan penyimpanan berkapasitas besar.
Samsung Kembangkan Chip Memori FeFET: Hemat Daya 96%! • Jagat Review
