SK hynix telah mengumumkan bahwa mereka telah berhasil mengembangkan HBM4 generasi terbaru dan siap untuk diproduksi massal. Memori berkecepatan tinggi ini ditujukan untuk kebutuhan server dan akselerator AI, dengan kecepatan transfer mencapai 10 GT/s, melebihi standar JEDEC yang hanya 8 GT/s. Keputusan untuk meningkatkan kecepatan transfer ini ternyata merupakan hal yang positif, mengingat produsen lain seperti Micron dan Rambus juga memilih kecepatan transfer yang lebih tinggi untuk HBM4 mereka.
HBM4 dari Micron menawarkan spesifikasi interface 2.048-bit I/O dan menggunakan chip DRAM yang diproduksi dengan node 1b-nm atau generasi kelima fabrikasi 10nm. SK hynix mengklaim bahwa teknologi proses yang mereka gunakan menggabungkan efisiensi kinerja dengan tingkat cacat yang rendah. Mereka masih menggunakan metode Advanced Mass Reflow Molded Underfill (MR-MUF) dalam produksi HBM4, yang memungkinkan mereka mempertahankan ketinggian 12-Hi dari susunan modul memori dan meningkatkan pembuangan panas yang efisien.
Meskipun tidak diungkapkan berapa layer DRAM yang digunakan pada HBM4 mereka dan kapasitasnya, kabar mengenai siapa saja klien yang telah mengamankan kuota produksi HBM4 juga tidak disebutkan. Namun, ini tentu menjadi kabar yang dinantikan oleh perusahaan-perusahaan besar seperti NVIDIA, AMD, Broadcom, dan lainnya yang diperkirakan akan mulai menggunakan HBM4 pada produk-server dan akselerator AI mereka pada tahun 2026 mendatang.
