SK hynix baru saja mengumumkan teknologi terbaru mereka, yaitu UFS 4.1 dengan desain 321-layer TLC NAND flash. Teknologi ini diklaim sebagai desain pertama di dunia yang ditujukan untuk smartphone. UFS 4.1 menawarkan peningkatan kecepatan, efisiensi daya, dan desain fisik yang lebih ramping dibanding generasi sebelumnya.
Dibandingkan dengan model 238-layer yang telah dirilis pada tahun 2022, kecepatan random read chip ini meningkat 15% dan random write lebih tinggi hingga 40%. Kecepatan baca sekuensial mencapai 4,3GB per detik, mencapai batas maksimum dari antarmuka UFS 4.1.
Selain itu, chip NAND ini juga lebih tipis, hanya 0,85mm dibandingkan 1mm sebelumnya. Meskipun terlihat kecil, pengurangan ini sangat penting bagi produsen smartphone yang berusaha membuat perangkat lebih ramping tanpa mengorbankan performa.
Tidak hanya dari segi ukuran dan kecepatan, efisiensi daya juga meningkat sekitar 7%. Hal ini berarti selain menjadi lebih hemat baterai, suhu perangkat juga dapat ditekan lebih rendah. Hal ini tentu cocok untuk smartphone modern yang semakin mengandalkan fitur AI.
SK hynix menyatakan bahwa peningkatan pada kecepatan baca sekuensial akan mempercepat proses pemuatan model AI ke RAM, sementara kecepatan acak yang lebih tinggi akan mendukung multitasking yang lebih lancar. Chip UFS 4.1 akan hadir dalam dua pilihan kapasitas yaitu 512GB dan 1TB, tanpa opsi 256GB.
Produksi massal chip ini direncanakan akan dimulai pada kuartal pertama tahun 2026, namun SK hynix telah mulai mencari mitra produsen smartphone. Perusahaan ini juga sedang mengembangkan versi 321-layer untuk SSD, baik untuk pengguna rumahan maupun kebutuhan data center.
